| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种卡型电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1333296C | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN200410069448.5 | 申请日期 | 1995.12.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;荒井康行;寺本聪 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种卡型电子装置，包括：一个薄膜树脂衬底；形成在所述薄膜树脂衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述薄膜树脂衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||