一种单晶氧化硅纳米线的合成方法

摘要

本发明主要涉及一种无定型氧化硅制备单晶氧化硅纳米线的方法。该方法是以无定型氧化硅作为硅源，通过浸渍、焙烧植入铁纳米粒子后通过有机胺的气-固相处理，最终获得单晶氧化硅纳米线。通过该方法制备的氧化硅纳米线具有很好的荧光活性、大的比表面积以及粗细、长短可调控的性质，因此这种单晶氧化硅纳米线有望在许多领域例如先进催化剂的设计、生物荧光标记、纳米器件组装、微观传导以及先进光学、电学和磁学材料的合成中有潜在应用价值。

主权项

1、一种单晶氧化硅纳米线的合成方法，其特征在于(1)以无定型氧化硅为原料，在硝酸铁溶液之中浸渍、焙烧使铁植入到无定型氧化硅之中，硝酸铁溶液浓度0.5～2mol/l，无定型氧化硅与硝酸铁溶液固液重量比是0.02～0.2，浸泡时间8-14小时，然后离心、晾干、焙烧，焙烧温度300-450℃，焙烧时间3-8小时；(2)以乙二胺作反应溶液进行水热处理，无定型氧化硅与乙二胺固液重量比是0.02～0.2，反应溶液之中乙二胺与水的体积比是0.1～5，水热处理时间1～5天，水热处理的温度180-210℃；(3)产物经水和乙醇清洗后用稀硝酸溶液处理除去负载的铁后获得单晶氧化硅纳米线，最后用水清洗，晾干得到产物。