| 摘要 |
一种用于制造氮化镓基半导体垂直结构元件的雷射剥离方法，包含：(a)制备一试片单元；在一转换基板上形成一氮化镓基半导体层，及一支持基板，(b)邻近转换基板地设置一个具有镂空区的光罩，(c)将雷射光穿过镂空区照射试片单元，使半导体层具有对应镂空区的晶粒区，及位在晶粒区周围的分隔区，(d)加热，(e)将半导体层剥离该转换基板。藉由雷射光搭配光罩使用，使半导体层在剥离转换基板之同时，即于支持基板上形成间隔之晶粒区，应用于发光二极体或其他垂直结构元件上，可以省略后续微影、蚀刻等步骤，故确实简化制程步骤并节省时间。 |
