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Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, ein zugehöriges Testsystem und ein Verfahren zum Testen einer On-Die-Termination(ODT)-Schaltung. Erfindungsgemäß umfasst das Halbleiterbauelement eine Abschlussimpedanzsteuerschaltung (1200), die konfiguriert ist, in Reaktion auf einen Testmodusbefehl (CMD) ein Abschlussimpedanzsteuersignal (ICONPi, ICONNi) zu erzeugen, eine On-Die-Termination(ODT)-Schaltung (1100), die mit einer Mehrzahl von Anschlüssen gekoppelt ist und konfiguriert ist, eine Mehrzahl von Abschlussimpedanzen (ODT01 bis ODT0m) zu erzeugen, und eine Grenzpfadabtastschaltung (1300), die konfiguriert ist, die Abschlussimpedanzen zu speichern und die gespeicherten Abschlussimpedanzen sequentiell auszugeben. Verwendung z. B. zum Testen von ODT-Schaltungen in Halbleiterspeicherbauelementen.
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