| 发明名称 | 金属源极功率晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种金属源极功率晶体管器件和制造方法，其中，金属源极功率晶体管具有由金属制成的源极，并且该源极与晶体管的体区域和沟道区域形成肖特基势垒。金属源极功率晶体管无条件地免受寄生双极作用影响，并且因此无需体接触就可避免回跳和闭锁效应。允许体区域在金属源极功率晶体管中漂移的能力降低了工艺复杂性，并且允许更紧凑的器件布局。 | ||
| 申请公布号 | CN101019236A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200580030944.2 | 申请日期 | 2005.07.15 |
| 申请人 | 斯平内克半导体股份有限公司 | 发明人 | J·P·辛德 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 1.一种金属源极功率晶体管，包括：半导体衬底，形成第一导电性类型的漏极层；相似的第一导电性类型的漂移层，设置于所述漏极层上；第二导电性类型的体区域，设置于所述漂移层中；源极区域，设置于所述体区域中，其中，所述源极区域由金属形成，并且与所述体区域形成肖特基接触；以及栅电极，设置于所述体区域和所述漂移区域上。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||