| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种装载在支撑基板上的半导体元件及其制造方法，而且提供如下的半导体器件及其制造方法：在上述半导体元件中被选择的外部连接用电极焊盘，经由设置在上述支撑基板上的开口或切口而导出到上述支撑基板的另一侧主面，与配置在上述支撑基板的另一侧主面上的配线层电连接，并且涉及可使半导体器件更小型化的结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101019228A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200480043991.6 | 申请日期 | 2004.09.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 藤泽哲也;小泽要;佐藤光孝 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01) | 主分类号 | H01L23/12(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具有支撑基板、和装载在上述支撑基板的一侧主面上的半导体元件，其特征在于，在上述半导体元件中被选择的电极焊盘经由设置在上述支撑基板上的开口或切口而被导出到上述支撑基板的另一侧主面，从而与配设在上述支撑基板的另一侧主面上的配线层电连接。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||