发明名称 |
一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法。现有的接触孔插塞和第一层金属分开制作且分别使用钨和铝(或铜),已满足不了器件特征尺寸的不断减小的需求,另外制作步骤繁多致使生产效率低下。本发明的方法首先在已制备有晶体管的晶圆上淀积金属前介质层和第一层金属间介质层;接着光刻并刻蚀出接触孔;然后向接触孔中填充有机物并使该有机物平坦化;之后光刻并刻蚀出第一层金属沟槽;然后淀积扩散阻挡层;接着通过电化学镀的方法来淀积金属铜;最后通过化学机械抛光来形成接触孔插塞和第一层金属。采用本发明的方法可减小器件互连的电阻,从而满足器件特征尺寸的不断减小的需求,另外可简化制作流程,大大提高制作效率。 |
申请公布号 |
CN101017792A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200710037619.X |
申请日期 |
2007.02.16 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
康晓旭 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
1、一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)、在已制备有晶体管的晶圆上淀积金属前介质层和第一层金属间介质层;(2)、光刻并刻蚀出接触孔;(3)、向接触孔中填充有机物并使该有机物平坦化;(4)、光刻并刻蚀出第一层金属沟槽;(5)、淀积扩散阻挡层;(6)、通过电化学镀的方法来淀积金属;(7)、通过化学机械抛光来形成接触孔插塞和第一层金属。 |
地址 |
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 |