| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于不用增加步骤数量来获得包含硅化物层的具有高导通电流的晶体管。包括该晶体管的半导体器件包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比第一区的厚度更均匀的第二区。第一和第二区被垂直于水平线的线分开，该线经过穿过硅化物层的边缘且与水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)的线与硅化物层和杂质区之间的界面交叉处的点，并且第二区的厚度与硅膜的厚度之比为0.6或更大。 | ||
| 申请公布号 | CN101013722A | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN200610064386.8 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 乡户宏充;德永肇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：硅衬底，其包括沟道形成区、杂质区和硅化物层；在该硅衬底之上的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜之上的栅电极；以及通过该硅化物层电连接到该杂质区的布线，其中该硅化物层包括其中厚度从沟道形成区侧上的边缘增加的第一区和其中厚度比该第一区的厚度更加均匀的第二区，其中，当该第一区和该第二区被垂直于水平线的第一线分开并且将该第一线与在该硅化物层和该杂质区之间的界面相交处的点假设为第一点时，经过该第一点和该边缘的第二线与该水平线形成角度θ(0°＜θ＜45°)，并且其中该第二区的厚度与该硅衬底的厚度之比为0.6或更大。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||