| 发明名称 | 用于在化学机械抛光中控制晶片温度的设备及方法 | ||
| 摘要 | 在化学机械抛光操作中用以控制晶片温度的设备与方法。一晶片承载器(66)具有一晶片安装表面，用以将晶片定位在相邻于热能转移单元(64)之处，以转移相关于晶片(52)的能量。一热能探测器(54)的定位相邻于晶片安装表面，以探测晶片(52)的温度。一控制器(60)响应该探测器(54)，以控制供应至热能转移单元(64)的热能。实施例则包括界定晶片的独立区域，为每个独立区域提供热能转移单元(64)的独立区块以及独立地探测每个独立区域的温度，以独立地控制对于与独立区域相关的热能转移单元(64)的热能供应。 | ||
| 申请公布号 | CN1330459C | 申请公布日期 | 2007.08.08 |
| 申请号 | CN02815166.6 | 申请日期 | 2002.12.13 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | N·布赖特;D·J·赫姆克尔 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种用于控制化学机械抛光操作的晶片温度的设备，包括：一晶片承载器，具有一晶片安装表面；一热能转移单元，其相邻于晶片安装表面，用于转移与晶片相关的能量；一热能探测器，其相邻于晶片安装表面，用于探测晶片的温度；一控制器，其可响应该探测器而控制对热能转移单元的热能供应；其中，该热能转移单元配置成转移与晶片表面一选定区域相关的热能，以建立遍布整个表面的热梯度，而热能探测器配置成探测该表面上事先确定的位置的温度；并且该热能转移单元的配置关于一圆环确定，且该晶片表面的选定区域相邻于晶片的中心和晶片的外缘中的一个，而热能探测器的配置关于一圆环确定，且该表面上事先确定的位置相邻于晶片的外缘和晶片的中心中的另一个。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||