制造场发射装置的方法

摘要

本发明提供制造场发射装置(FED)的方法，其中光掩模构图工艺的数目低并且FED的制造产率能够提高。该方法包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在栅极电极层上形成保护层以覆盖栅极电极层的顶面；通过蚀刻保护层和栅极电极层的预定部分暴露第一绝缘层的部分以形成在至少一行内的多个第一开口孔；形成第二绝缘层、聚焦电极层、光致抗蚀剂层；通过构图光致抗蚀剂层及使用光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分以形成分别对应于第一开口孔的行的第二开口孔；通过从第二绝缘层的暴露表面蚀刻到第一绝缘层的底表面形成暴露阴极层的部分的发射器孔；去除光致抗蚀剂层；及在阴极层的暴露表面上形成电子发射发射器。

主权项

1.一种制造场发射装置(FED)的方法，包括：在基板上顺序形成阴极层、第一绝缘层、以及栅极电极层；在所述栅极电极层上形成保护层从而覆盖所述栅极电极层的顶面；通过蚀刻所述保护层和所述栅极电极层的预定部分暴露所述第一绝缘层的部分从而沿至少一行形成多个第一开口孔；形成覆盖所述第一开口孔以及所述保护层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成聚焦电极层；在所述聚焦电极层上形成光致抗蚀剂层；通过构图所述光致抗蚀剂层以及使用所述光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模暴露第二绝缘层的部分从而形成分别对应于所述第一开口孔的所述行的第二开口孔；通过从所述第二绝缘层的暴露表面蚀刻到所述第一绝缘层的底表面形成暴露所述阴极层的部分的发射器孔；去除所述光致抗蚀剂层；以及在所述阴极层的所述暴露表面上形成电子发射发射器。