METHOD FOR TREATING AN OXYGEN-CONTAINING SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers, der eine erste Seite, eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite, einen sich an die erste Seite anschließenden ersten Halbleiterbe-reich, und einen sich an die zweite Seite anschließenden zweiten Halbleiterbereich aufweist, mit folgenden Verfahrens-schritten:-Bestrahlen der zweiten Seite des Wafers mit hochenergeti schen Teilchen, wodurch Kristalldefekte in dem zweiten Halbleiterbereich entstehen,- Durchführen eines ersten Temperaturprozesses, bei dem der Wafer auf Temperaturen zwischen 700° C und 1100° C aufgeheizt wird. Die Erfindung betrifft außerdem ein auf Basis eines derart behandelten Wafers hergestelltes Bauelement.