发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置,其系抑制因用于显示装置之薄膜电晶体的光漏电流所造成之显示品质的降低。本发明之半导体装置系在基板10上形成有下部金属层11,且依序形成缓冲膜12、半导体层13、闸极绝缘膜14、及闸极配线15。在闸极配线15上形成有具备接触孔CH之层间绝缘膜16。在层间绝缘膜16上延伸有经由接触孔CH分别与半导体层13之源极13S及汲极13D连接的源极配线17S及汲极配线17D。在此,源极配线17S、汲极配线17D及下部金属层11系从各接触孔CH侧延伸,且在半导体层13及闸极配线15之上方或下方,覆盖未超越闸极配线15之宽度方向之端P3的区域。
申请公布号 TW200729511 申请公布日期 2007.08.01
申请号 TW096102441 申请日期 2007.01.23
申请人 三洋爱普生映像元器件有限公司 发明人 小野木智英;濑川泰生
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本