利用氢添加达成的高介电常数膜之选择性蚀刻

摘要

本发明提供一种用于针对矽基材料选择性蚀刻高k层之方法。将高k层置于一蚀刻室内。将一蚀刻剂气体提供到该蚀刻室中，其中该蚀刻剂气体包含H2。从该蚀刻剂气体产生电浆以针对矽基材料选择性蚀刻该高k层。