| 摘要 |
本发明描述一种制造用于半导体装置之金属镶嵌互连(1)的方法。一非导电扩散障壁(10)形成于由一多孔低K介电材料(6)所界定的通道(7)之壁上，及一密闭该通道(7)之一端的铜区域(3)之表面上。该非导电障壁层(10)经电浆处理以将该障壁层之一上部部分(10b)转换为一导电层，而该障壁层之一包含已渗透该介电材料之孔隙之材料的下部部分(10a)保持不导电。随后以一第二铜区域(13)填充该通道(7)，从而经由该障壁(10)之目前导电的上部部分(10b)形成与该第一铜区域(3)之电互连。熟此项技术者将了解，可在不偏离本发明之范畴的情况下组合此文件中描述及申请之本发明之所有实施例。 |
