电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其制造方法。EEPROM单元包括：形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层；在有源区中顺次设置的源区、掩埋N⁺区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋N⁺区。第一沟道区形成在源区与掩埋N⁺区之间。隧道区位于掩埋N⁺区与存储栅之间，并自对准于掩埋N⁺区。这样，可以实现隧道区与掩埋N⁺区之间的重叠面积在整个衬底上是一致的，由此改善了EEPROM器件的编程、擦除和读取操作。

主权项

1.一种电可擦除可编程只读存储器单元，包括：一隔离层，形成在半导体衬底中用于限定有源区；一源区、一掩埋N+区和一漏区，形成在该有源区中且彼此分离；一单元耗尽区，形成在该掩埋N+区和该漏区之间的该有源区中，该掩埋N+区与该单元耗尽区接触；位于所述源区与所述掩埋N+区之间的第一沟道区；位于所述单元耗尽区与所述漏区之间的第二沟道区；一存储栅，形成在所述第一沟道区和所述掩埋N+区上；一选择栅，形成在所述第二沟道区上；和一隧道氧化物层，形成在所述掩埋N+区上，其中，该隧道氧化物层与所述掩埋N+区的在各个相同侧的边缘之间的距离是等距的。