| 发明名称 | 一种CDSEM校准用样品的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种测量关键尺寸的扫描电子显微镜(CDSEM)校准用样品的制作方法，包括硅衬底预清洗，形成垫氧化层，淀积多晶硅层，形成光刻胶图案，形成栅极结构，形成一导电层。所得到的栅极结构样品，由于表面的导电层对电荷的消散作用，抑制了样品表面电荷的累积导致的碳氢化合物的沉积，使CD长大的“过载”现象消除，使校准用样品的使用寿命显著延长，保证CDSEM的测量可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101009236A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200610023591.X | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 严博;薛玢;杨欣;郭力奇 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种CDSEM校准用样品的制作方法，包括如下步骤：硅衬底预清洗；在硅衬底上形成垫氧化层；在垫氧化层上淀积多晶硅层；形成光刻胶图案；对多晶硅进行刻蚀；去除光刻胶层，形成多晶硅栅极结构；在多晶硅栅极结构上淀积一导电层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||