| 发明名称 | 低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极 | ||
| 摘要 | 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1330011C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200410101246.4 | 申请日期 | 2004.12.17 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 沈光地;朱彦旭;李秉臣;郭霞;董立闽 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1、一种低接触电阻、低光吸收、全角度高反射的LED电极，第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||