| 发明名称 | 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 | ||
| 摘要 | 一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101007944A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200610002667.0 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘宁;金鹏;王占国 |
| 分类号 | C09K11/62(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | C09K11/62(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，其特征在于，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：(1)取一衬底；(2)在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；(3)在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；(4)在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；(5)在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||