发明名称 |
具有集成的保护二极管的太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种太阳能电池,其具有在前和后接触之间延伸的光敏半导体层和集成的保护二极管(旁路二极管),所述保护二极管具有与太阳能电池相反朝向的极性和在前侧延伸的p型导电的半导体层,其中保护二极管与前接触连接。为保证保护二极管高的稳定性,尤其为抑制金属原子的迁移,建议隧道二极管(38)在保护二极管(32)的p型导电的半导体层(36)上延伸,所述隧道二极管可通过n<SUP>+</SUP>型层与前接触(14)连接。 |
申请公布号 |
CN101010811A |
申请公布日期 |
2007.08.01 |
申请号 |
CN200580014852.5 |
申请日期 |
2005.05.10 |
申请人 |
RWE太空太阳能有限责任公司 |
发明人 |
G·斯特罗布尔 |
分类号 |
H01L31/0304(2006.01);H01L31/05(2006.01);H01L31/068(2006.01);H01L27/142(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/0304(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘春元;魏军 |
主权项 |
1.太阳能电池,具有在前和后接触之间延伸的光敏半导体层和集成的可与前接触连接的保护二极管(旁路二极管),所述保护二极管具有与太阳能电池相反朝向的极性和在前侧延伸的p型导电的半导体层,隧道二极管在该p型导电的半导体层上延伸,其特征在于,n+型导电层(46)在隧道二极管(38)上延伸,通过所述n+型导电层连接或可连接保护二极管(32)与前接触(14)。 |
地址 |
德国海尔布隆 |