| 发明名称 | 具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了Ⅲ族氮化物基发光器件和Ⅲ族氮化物基发光器件制作方法。该发光器件包括：n型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的Ⅲ族氮化物基有源区、该有源区上包含铟的Ⅲ族氮化物层、该包含铟的Ⅲ族氮化物层上包含铝的p型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上的第一接触、以及该p型Ⅲ族氮化物层上的第二接触。该包含铟的Ⅲ族氮化物层还包括铝。 | ||
| 申请公布号 | CN101006590A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580025327.3 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | M·J·伯格曼;D·T·埃默森 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;梁永 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物基发光器件，包括：n型III族氮化物层；该n型III族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的III族氮化物基有源区；该有源区上的包含铟的III族氮化物层；该包含铟的III族氮化物层上的包含铝的p型III族氮化物层；该n型III族氮化物层上的第一接触；以及该p型III族氮化物层上的第二接触。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||