| 发明名称 | 一种半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件制造方法，步骤为：首先形成晶体管器件的源/漏极，再形成栅极；在形成栅极的工艺过程中，采用原子层化学气相淀积技术生长二氧化硅栅电极绝缘层、使用化学气相淀积技术生长多晶硅电极、采用化学机械抛光技术移除表面多余的多晶硅，形成无侧墙的半导体晶体管器件。本发明利用半导体多晶硅化学机械抛光技术代替等离子体刻蚀技术制造无侧墙的半导体器件，避免等离子体对器件栅电极绝缘层的损伤，从而降低漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101005037A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610147713.6 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 朱骏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件制造方法，其特征在于该方法的步骤为：首先形成晶体管器件的源/漏极，再形成栅极；在形成栅极的工艺过程中，采用原子层化学气相淀积技术生长二氧化硅栅电极绝缘层、使用化学气相淀积技术生长多晶硅电极、采用化学机械抛光技术移除表面多余的多晶硅，形成无侧墙的半导体晶体管器件。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江碧波路177号4楼B区 | ||