电路阵列基板

摘要

在玻璃基板3上形成相互绝缘的多晶硅半导体层21和伪多晶硅半导体层25。栅极绝缘膜31形成于多晶硅半导体层21、伪多晶硅半导体层25以及玻璃基板3上。栅极绝缘膜31由扫描和栅极线11覆盖，它与多晶硅半导体层21和伪多晶硅半导体层25重叠。多晶硅半导体层21与扫描和栅极线11耦合以限定电容器Ca并与参考电位耦合以限定电容器Cb。同样，伪多晶硅半导体层25与扫描和栅极线11耦合以限定电容器Cc并与参考电位耦合以限定电容器Cd。电容器Cc和Cd增加与这些Ca和Cb并联的电容以抑制在形成扫描和栅极线11后由于过程中产生的静电荷引起的施加到扫描和栅极线11与多晶硅半导体层21之间的栅极绝缘膜31上的电压的增加。因此，可以抑制栅极绝缘膜31处的静电击穿以及像素5的点缺陷。

主权项

1.一种电路阵列基板，其特征在于，包括：透光基板；薄膜晶体管，它形成于所述透光基板上，具有第一半导体层、栅极绝缘膜和栅极线；以及第二半导体层，它形成于所述透光基板上，其中，所述栅极线与所述第一和第二半导体层重叠，而所述栅极绝缘膜置于所述栅极线和所述第一和第二半导体层之间。