| 主权项 |
1.一种光电晶片之增层封装构造,包含: 一透明电路载板,其系具有一基板线路层; 至少一光电晶片,其系覆晶接合至该透明电路载板 并电性连接至该基板线路层; 一第一介电层,其系形成于该透明电路载板上并覆 盖该光电晶片,该第一介电层系具有复数个通孔, 该些通孔系贯通至该透明电路载板之该基板线路 层;以及 一第一线路层,其系形成于该第一介电层上,该第 一线路层系经由该些通孔电性连接至该基板线路 层。 2.如申请专利范围第1项所述之光电晶片之增层封 装构造,其中该第一介电层系较厚于该光电晶片, 并覆盖该光电晶片之一背面与复数个侧面。 3.如申请专利范围第2项所述之光电晶片之增层封 装构造,其中该第一线路层系具有复数个延伸至该 光电晶片上方之线路。 4.如申请专利范围第1项所述之光电晶片之增层封 装构造,另包含有至少一第二介电层以及至少一第 二线路层,该第二介电层系形成于该第一线路层上 ,该第二线路层系形成于该第二介电层上。 5.如申请专利范围第4项所述之光电晶片之增层封 装构造,另包含有至少一积体电路晶片,其系设置 于该第二线路层上。 6.如申请专利范围第4或5项所述之光电晶片之增层 封装构造,另包含有至少一第三介电层,其系形成 于该第二线路层上。 7.如申请专利范围第6项所述之光电晶片之增层封 装构造,其中该第三介电层系覆盖该积体电路晶片 之复数个侧面。 8.如申请专利范围第6项所述之光电晶片之增层封 装构造,另包含有一第三线路层,其系形成于该第 三介电层上。 9.如申请专利范围第8项所述之光电晶片之增层封 装构造,另包含有一焊罩层,其系形成于该第三线 路层与该第三介电层上。 10.如申请专利范围第9项所述之光电晶片之增层封 装构造,其中该第三线路层系具有复数个连接垫以 及一散热片部,该焊罩层并显露出该些连接垫与该 散热片部,以使该些连接垫与该散热片部具有一显 露表面。 11.如申请专利范围第10项所述之光电晶片之增层 封装构造,另包含有一电镀层,其系形成于该些连 接垫及该散热片部之该显露表面。 12.一种光电晶片之增层封装构造之制造方法,包含 : 提供一透明电路载板,其系具有一基板线路层; 覆晶接合至少一光电晶片至该透明电路载板,并使 该光电晶片电性连接至该基板线路层; 形成一第一介电层于该透明电路载板上,其中该第 一介电层系覆盖该光电晶片,且该第一介电层系具 有复数个通孔,该些通孔系贯通至该透明电路载板 之该基板线路层;以及 形成一第一线路层于该第一介电层上,该第一线路 层系经由该些通孔电性连接至该基板线路层。 13.如申请专利范围第12项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,其中该第一介电层系较厚于 该光电晶片,并覆盖该光电晶片之一背面与复数个 侧面。 14.如申请专利范围第13项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,其中该第一线路层系具有复 数个延伸至该光电晶片上方之线路。 15.如申请专利范围第12项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,另包含有: 形成至少一第二介电层于该第一线路层上;以及 形成至少一第二线路层于该第二介电层上。 16.如申请专利范围第15项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,另包含有:设置至少一积体 电路晶片于该第二线路层上。 17.如申请专利范围第15或16项所述之光电晶片之增 层封装构造之制造方法,另包含有:设置至少一第 三介电层于该第二线路层上。 18.如申请专利范围第17项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,其中该第三介电层系覆盖该 积体电路晶片之复数个侧面。 19.如申请专利范围第17项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,另包含有:形成一第三线路 层于该第三介电层上。 20.如申请专利范围第19项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,另包含有:形成一焊罩层于 该第三线路层与该第三介电层上。 21.如申请专利范围第20项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,其中该第三线路层系具有复 数个连接垫以及一散热片部,该焊罩层并显露出该 些连接垫与该散热片部,以使该些连接垫与该散热 片部具有一显露表面。 22.如申请专利范围第21项所述之光电晶片之增层 封装构造之制造方法,另包含有:形成一电镀层于 该些连接垫与该散热片部之该显露表面。 图式简单说明: 第1图:习知影像感测器之光电晶片封装构造之截 面示意图。 第2图:依据本发明之一具体实施例,一种光电晶片 之增层封装构造之截面示意图。 第3A至3H图:依据本发明之第一具体实施例,该光电 晶片之增层封装构造于制程中之截面示意图。 |
