半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系有关于一半导体装置及其制造方法。该半导体装置系包含一基底、一具有均匀厚度及顺应性阶梯覆盖能力之电致动有机层(electroactive organic layer)以及一金属层，其中该基底系为一导电基底(conductivesubstrate)或一具有一电性传导层(conductive layer)之非导电基底(nonconductive substrate)，而该电致动有机层包含一金属原子作为晶种，且该电致动有机层及该金属层系依序形成该导电基底或该电性传导层之上。