| 摘要 |
本发明提供一种在制造薄膜电晶体液晶显示装置等时选择性地蚀刻透明导电膜(ITO膜)之蚀刻组成物，且该透明导电膜蚀刻组成物不会对构成TFT(薄膜电晶体)之闸极配线材料之Mo/Al-Nd双层膜、及源极/汲极之配线材料之Mo单层膜造成影响，并且所形成之透明导电膜具优异轮廓，并具有可提高蚀刻速度以节省LCD制造成本及提升处理效率的效果。又，本发明之透明导电膜蚀刻组成物包含有：a)0.1~5重量％可在水溶液中解离成Cl-之氯化合物、b)0.1~5重量％可在水溶液中解离成NO3-之化合物、及c)剩余份量之水。 |
