异质接面光电二极体

摘要

本发明提供一种异质接面光电二极体，其包括一在具有带隙能量Eg1之第一材料区域形成之pn或萧特基(Schottky)-障壁接面。当施加反偏压时，该接面产生一朝向具有较Eg1为小之带隙能量Eg2的第二材料区域延伸之空乏区域。此有利于在该第二区域中产生之信号光电流有效地流过该第一区域之接面，同时将与过程相关之暗电流及因通常可降低光电二极体元件性能之附近接面缺陷及不完好表面而引起之相关杂讯降至最低。该异质接面光电二极体可被包含于一包括一接面阵列之成像系统中以形成一成像仪。