| 主权项 |
1.一种电晶体排列,其包括: 复数个电晶体(32、34、36)于共射极电路中; 一电流路径(48)以供应该电晶体排列的操作电流; 复数个子电流路径(50、52、54),其自该电流路径48 分支且其被用来供应该电晶体的个别操作电流;及 一种切换至该子电流路径(50、52、54)其中之一个 的电阻器(60),其系连接至该电晶体排列的高频(HF) 输出(40),越过该电阻器(60)的电压降为该电晶体排 列的操作电流之量度。 2.根据申请专利范围第1项的电晶体排列,其更包括 一装置(70),以基于越过该电阻器(60)的电压降控制 该电晶体排列的操作电流。 3.根据申请专利范围第2项的电晶体排列,其中控制 操作电流的该装置(70)为一基于越过该电阻器(60) 的电压降调整该电晶体(32、34、36)的增幅之装置 。 4.根据申请专利范围第3项的电晶体排列,其中调整 该电晶体的增幅的该装置以该电晶体排列的操作 电流被控制为一固定値的方式调整其增幅。 5.根据申请专利范围第4项的电晶体排列,其中调整 该增幅的装置包括一电晶体(72),其控制输入连接 至一电位,此电位依越过该电阻器(60)的电压降而 定。 6.根据申请专利范围第3项的电晶体排列,其中调整 该电晶体的增幅的该装置以该电晶体排列的操作 电流不超过一最大値的方式调整该增幅。 图式简单说明: 第1图显示根据本发明的电晶体排列的电路图。 第2图显示根据本发明的具操作电流控制的电晶体 排列的电路图。 第3图显示根据本发明的具操作电流控制的替代电 晶体排列的电路图。 第4图显示习知电晶体排列的电路图。 |
