发明名称 蚀刻方法
摘要 本发明提供一种蚀刻方法,其能够以充分的速度将牺牲层从微细的蚀刻开口中除去,藉此能够于形成包含较大中空部或构造复杂的空间部之构造体、乃至于高深宽比之构造体时,使其形状精度良好且表面状态不致劣化。其解决方法如下:将被处理物曝露于含有蚀刻反应物之处理流体,并使前述处理流体对被处理物保持流动状态(第4步骤 S4)。在该状态下,对被处理物的表面断续地照射光线,并断续地加热被处理物(第5步骤S5)。藉此,一边将被处理物附近的前述处理流体断续地加热而使其膨胀、收缩,一边进行蚀刻。处理流体较佳使用含有蚀刻反应物的超临界状态之物质。
申请公布号 TWI283887 申请公布日期 2007.07.11
申请号 TW093133027 申请日期 2004.10.29
申请人 新力股份有限公司 发明人 村本准一
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种蚀刻方法,其特征系于将被处理物曝露于含 有蚀刻反应物之处理流体之状态下,藉由以光照射 对该被处理物之表面断续地加热,使该被处理物附 近之前述处理流体受到断续地加热而膨胀、收缩; 且 使前述处理流体对前述被处理物保持流动状态。 2.如请求项1之蚀刻方法,其中前述处理流体系使超 临界状态之物质中含有蚀刻反应物而成者。 3.如请求项1之蚀刻方法,其中前述光照射系介以光 罩图案而照射于前述被处理物之表面之选定部位 。 4.如请求项1之蚀刻方法,其中前述光照射系藉由灯 光或者雷射光之脉冲振荡而成。 5.如请求项4之蚀刻方法,其中前述光照射系藉由照 射时间100 n秒以下之脉冲振荡而成。 6.如请求项1之蚀刻方法,其中照射于前述被处理物 之表面之光线系紫外光。 图式简单说明: 图1系实施形态之蚀刻方法中使用之处理装置之构 成图。 图2系表示实施形态之蚀刻方法之流程图。 图3系表示实施形态之蚀刻方法中照射光之断续照 射之图。 图4(1)、(2)系说明实施形态之蚀刻方法的效果之图 。 图5系表示实施形态之蚀刻方法的效果之图。 图6(1)、(2)系用以说明先前的蚀刻方法之一例之剖 面图。 图7(1)、(2)系用以说明先前的蚀刻方法之其他例之 剖面图。
地址 日本
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