| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够减小器件尺寸的半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其具有阱区；至少一个阱拾取区，其形成于该阱区上；源区，其形成于该衬底上以包围所述阱拾取区；第一漏区，其形成于该衬底上，以定位于该源区的一侧上；以及第一栅电极，其形成于该衬底上，以定位于该源区与该第一漏区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1992346A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172013.2 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金昌男 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底，其具有阱区；至少一个阱拾取区，其形成于该阱区上；源区，其形成于该衬底上以包围所述阱拾取区；第一漏区，其形成于该衬底上，以定位于该源区的一侧上；以及第一栅电极，其形成于该衬底上，以定位于该源区与该第一漏区之间。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||