| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储器单元、锁存器等半导体存储装置，其目的在于提供对软错误具有高免疫性的存储器单元等。在本发明中，构成反相器的P型和N型晶体管被二倍化，被二倍化的P型晶体管和N型晶体管各有一个配置在不同的势阱上。另外，在本发明中，包括：四对连接P型晶体管与N型晶体管而成的晶体管对；以及节点－栅极间连接配线，将各个晶体管对中的P型晶体管和N型晶体管之间的连接节点和各个P型、N型晶体管的栅极在防止因软错误引起的某个节点的电位翻转向其他节点传播的方向上连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1993827A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200480043672.5 | 申请日期 | 2004.08.10 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 鹤田智也;清水宏 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);G11C11/41(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其特征在于，构成反相器的P型和N型晶体管分别被二倍化，所述被二倍化的P型晶体管和N型晶体管各有一个配置在不同的势阱上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||