| 发明名称 | 半导体器件的薄膜和金属线的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体器件的金属线和薄膜的方法。该形成半导体器件的薄膜的方法包括步骤：在半导体衬底上形成TaN膜；以及通过使该TaN膜与NO<SUB>2</SUB>反应，将该TaN膜的一部分转化成Ta膜。该Ta膜形成为厚度约为该TaN膜厚度的一半。 | ||
| 申请公布号 | CN1992176A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172432.6 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 李汉春 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的薄膜的方法，包括以下步骤：在衬底上形成TaN膜；以及通过使该TaN膜与NO2反应，将该TaN膜的一部分转化成Ta膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||