用于制造在半导体元件内之电容器的方法

摘要

本发明提供一种在半导体元件内制造电容器之方法。该方法包含：在基板上形成绝缘层；使金属源填平绝缘层，以改变绝缘层的表面特性，改善金属基材料对绝缘层表面的附着性；在填平的绝缘层上形成包含金属基材料之储存节点；及在金属基材料之储存节点上，依序形成介电质层和板状电极。