发明名称 电感器结构改良(二)
摘要 一种电感器结构改良(二),包括:二壳体、一线圈及一芯棒。将芯棒穿入于线圈之绕线段的通道里,在芯棒穿入于通道后,再将二壳体罩于线圈及芯棒外部,使芯棒两端分别穿入于二壳体之二穿孔,让线圈与芯棒得与组接于二壳体之二凹槽间,并使绕线段两端所延伸的二端子外露于二壳体外,得以与电路板焊接。而二壳体结合在线圈与芯棒外部时,可以避免磁力线曝露于外,而对其他电子元件造成电磁干扰,同时也避免其他电子元件对电感器之电磁干扰。
申请公布号 TWM314406 申请公布日期 2007.06.21
申请号 TW095221391 申请日期 2006.12.05
申请人 庄忆芳 发明人 庄忆芳
分类号 H01F27/28(2006.01) 主分类号 H01F27/28(2006.01)
代理机构 代理人 谢佩玲 台北市大安区罗斯福路2段107号12楼
主权项 1.一种电感器结构改良(二),包括: 二壳体,其上分别各具有一凹槽,该二凹槽内壁上 设有一贯穿二壳体之穿孔; 一线圈,系配置于该二壳体之凹槽间; 一芯棒,以穿设于该二壳体之穿孔及线圈的绕线段 上。 2.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该凹槽为一U形。 3.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该线圈系由一导线卷绕而成,其上具有一绕 线段,该绕线段里具有一通道,而绕线段之两端各 延伸有一端子。 4.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该芯棒系呈一圆柱体。 5.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该凹槽两侧的壳体上具有一组接合部,该接 合部为一凹口状及一凸出状。 6.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该凹槽两侧的壳体上具有一组接合部,该接 合部为一凹陷之扣合槽与一呈钩状之扣接部。 7.如申请专利范围第1项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该壳体为一U形。 8.一种电感器结构改良(二),包括: 二壳体,其上分别各具有一凹槽,于其一凹槽内壁 上设有一盲孔,而另一凹槽设有一贯穿壳体之穿孔 ; 一线圈,系配置于该二壳体之凹槽间; 一芯棒,以穿设于该二壳体之穿孔及线圈的绕线段 上。 9.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良(二 ),其中,该凹槽为一U形。 10.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该穿孔内径呈一阶梯状。 11.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该线圈系由一导线卷绕而成,其上具有一 绕线段,该绕线段里具有一通道,而绕线段之两端 各延伸有一端子。 12.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该芯棒系呈一T形。 13.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该凹槽两侧的壳体上具有一组接合部,该 接合部为一凹口状及一凸出状。 14.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该凹槽两侧的壳体上具有一组接合部,该 接合部为一凹陷之扣合槽与一呈钩状之扣接部。 15.如申请专利范围第8项所述之电感器结构改良( 二),其中,该壳体为一U形。 16.一种电感器结构改良(二),包括: 二壳体,其上分别各具有一凹槽,该二凹槽内壁上 各设有一盲孔; 一线圈,系配置于该二壳体之凹槽间; 一芯棒,以组接于该二壳体之盲孔及线圈的绕线段 上。 17.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该凹槽为一U形。 18.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该线圈系由一导线卷绕而成,其上具有一 绕线段,该绕线段里具有一通道,而绕线段之两端 各延伸有一端子。 19.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该芯棒系呈一圆柱体。 20.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该凹槽两侧的壳体上具有一组接合部,该 接合部为一凹口状及一凸出状。 21.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该凹槽两侧的壳体上各具有一组接合部, 该接合部为一凹陷的扣合槽与一呈钩状之扣接部 。 22.如申请专利范围第16项所述之电感器结构改良( 二),其中,该壳体为一U形。 图式简单说明: 第一图,系本创作之第一种电感器外观立体示意图 。 第二图,系本创作之第一种电感器结构分解示意图 。 第三图,系为第一图之剖视示意图。 第四图,系本创作之第二种电感器结构分解示意图 。 第五图,系本创作之第三种电感器结构分解示意图 。 第六图,系本创作之第四种电感器结构分解示意图 。 第七图,系本创作之第五种电感器结构分解示意图 。 第八图,系为第七图之剖视示意图。 第九图,系本创作之第六种电感器结构分解示意图 。 第十图,系为第九图之剖视示意图。
地址 台北县三重市三和路4段117巷15号5楼
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