| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件及氮化物半导体激光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1983748A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610171711.0 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 神川刚;川口佳伸 |
| 分类号 | H01S5/028(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/028(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光元件，是在光射出部形成有涂膜的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述光射出部由氮化物半导体构成，与所述光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||