| 发明名称 | 清洗硅表面的方法以及用此方法制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清洗硅表面的方法，其包括以下步骤。首先，使用氧化剂溶液第一次清洗硅表面。接着，以HF蒸气或液体清洗硅表面，以氢气水或去离子水配合超音波(megasonic)清洗硅表面。最后，使用氧化剂溶液第二次清洗硅表面。本发明的清洗方法可应用于薄膜晶体管(TFT)的制作，所得TFT具有较高的电子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN1321755C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN03101727.4 | 申请日期 | 2003.01.21 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 彭佳添;孙铭伟 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01);B08B7/00(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | B08B3/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 贾静环;宋莉 |
| 主权项 | 1.一种清洗硅表面的方法，其基本上由下列步骤组成：使用氧化剂溶液第一次清洗硅表面；然后以HF蒸气或液体清洗硅表面；然后以氢气水或去离子水配合超音波清洗硅表面；以及最后使用氧化剂溶液第二次清洗硅表面，用以钝化该硅表面的悬空键。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||