| 发明名称 | 一种堆叠薄膜晶体管非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种堆叠非易失性存储器件，其包括多层彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术，而有效率地且经济地制造此器件。此器件可结构为适用于与非(NAND)操作中。 | ||
| 申请公布号 | CN1983566A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610164200.6 | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种用以制造非易失性存储器件的方法，该存储器件包括交互形成于彼此之上的多层位线层以及多层字线层，该方法包括：形成这些多层位线层，其中每一该位线层的形成包括：形成一半导体层于绝缘层之上；以及图案化并蚀刻该半导体层以形成多条位线；形成这些多层字线层于先前的这些多层位线层之上，其中每一该字线层的形成包括：依序形成陷获结构与导电层；以及图案化并蚀刻该陷获结构与该导电层，以形成多条字线。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||