离子植入束角度校准

摘要

本发明之一或更多个观点系关于决定介于一离子束和一欲由该离子束选择性地植入离子之工件之晶格结构间之相对方位，以及按照该相对方位来校准一离子植入系统。至少一部份藉由导引一发散离子束于工件上并寻找将离子束实质平行于该工件之结晶平面植入离子之该发散束之角度来决定该束至晶格结构方位，且如此对该晶格结构造成小量损害。