用在栓塞表面区域之表面结构改良

摘要

一半导体元件中的一个包括有一栓塞表面之表面结构，可藉由移除材料以生成具有至少一栓塞表面区域(典型地为钨或铜栓塞区域)其包括有一凹陷区域的一第一平面化表面而改善。一材料系沈积于此第一平面化表面之上以及此凹陷区域之顶部内，以生成一材料层。此材料层接着被移除以生成一第二平坦化表面，而此材料则仍留在此凹陷区域之顶部内。为了形成一半导体相转换记忆元件，一相转换元素系形成于第二平面化表面之至少一栓塞区域(做为一第一电极)以及一第二电极之间。