氮化物半导体元件及氮化物半导体结晶层之成长方法

摘要

本发明系一种氮化物半导体元件及氮化物半导体结晶层之成长方法，其课题为提供不需形成非晶形状之低温缓冲层，而形成直接氮化物半导体的a轴与c轴双方齐全之单结晶层于基板上，并于其单结晶层上磊晶成长氮化物半导体层之氮化物半导体发光元件或，电晶体元件等之氮化物半导体元件，以及直接成长其氮化物半导体单结晶层之方法，其中，于在氮化物半导体未晶格整合的基板上成长有氮化物半导体3之情况、于基板1上，直接设置由AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)所成，并a轴及c轴被排齐之单结晶之缓冲层2，于该单结晶之缓冲层2上，磊晶成长前述氮化物半导体层3，另，其单结晶之缓冲层系可根据采用PLD法之情况而成。