在基片上生成光滑铟锡氧化物层的方法及一种基片铟锡氧化物覆层

摘要

在一种在基片上生成ITO层的方法中，特别用于制造有机发光二极管，首先通过溅射沉积涂敷部分的ITO层厚度，控制温度变化分布以阻止了结晶核的形成；随后，将部分覆层的基片加热到高于ITO层的重结晶温度，然后溅射沉积所余的ITO层。

主权项

1.一种在基片上生成光滑铟锡氧化物层的方法，该基片具体用于制造有机发光二极管，为了制造该二极管，将透明的导电铟锡氧化物层涂敷于一个玻璃基片以形成一个电极，其特征在于，该铟锡氧化物层是这样形成的：首先在低于150摄氏度下溅射沉积部分的铟锡氧化物层厚度，该温度的分布变化受控以防结晶核的形成，随后将该基片加热到高于铟锡氧化物层的重结晶温度，最后溅射沉积所余的铟锡氧化物层。