发明名称 | 衬底触发的静电放电保护电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲(Nch Buffer)晶体管和一个二极管串,Nch Buffer晶体管栅极接地,衬底与二极管串尾部二极管的阴极相连接,二极管串首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接。在静电放电发生时,二极管串会先于Nch Buffer晶管导通产生电流,可以供给Nch Buffer晶体管衬底电流,并产生衬底偏压,触发Nch Buffer晶体管。本发明能使晶体管在静电放电发生时较快被触发开启,有较大电流释放能力,并能使开启均匀。 | ||
申请公布号 | CN1979842A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
申请号 | CN200510111045.7 | 申请日期 | 2005.12.01 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明 |
分类号 | H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 1、一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲晶体管,其特征是,还包括一个置于内部电路前一级和N型金属氧化物缓冲晶体管衬底之间的二极管串,二极管串中每两个相邻的二极管的阳极和阴极首尾相接,其首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接,尾部二极管的阴极与所述N型金属氧化物缓冲晶体管衬底相连接;所述N型金属氧化物缓冲晶体管栅极与接地线相连接。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |