发明名称 衬底触发的静电放电保护电路
摘要 本发明公开了一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲(Nch Buffer)晶体管和一个二极管串,Nch Buffer晶体管栅极接地,衬底与二极管串尾部二极管的阴极相连接,二极管串首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接。在静电放电发生时,二极管串会先于Nch Buffer晶管导通产生电流,可以供给Nch Buffer晶体管衬底电流,并产生衬底偏压,触发Nch Buffer晶体管。本发明能使晶体管在静电放电发生时较快被触发开启,有较大电流释放能力,并能使开启均匀。
申请公布号 CN1979842A 申请公布日期 2007.06.13
申请号 CN200510111045.7 申请日期 2005.12.01
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 徐向明
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1、一种衬底触发的静电放电保护电路,包括N型金属氧化物缓冲晶体管,其特征是,还包括一个置于内部电路前一级和N型金属氧化物缓冲晶体管衬底之间的二极管串,二极管串中每两个相邻的二极管的阳极和阴极首尾相接,其首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接,尾部二极管的阴极与所述N型金属氧化物缓冲晶体管衬底相连接;所述N型金属氧化物缓冲晶体管栅极与接地线相连接。
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