发明名称 TRANSISTOR DE TYPE I-MOS COMPORTANT DEUX GRILLES INDEPENDANTES, ET PROCEDE D'UTILISATION D'UN TEL TRANSISTOR
摘要 Le dispositif comporte une première zone dopée (1) par un premier type de dopage, par exemple P, et une seconde zone dopée (2) par un second type de dopage, par exemple N. Les première et seconde zones (1 et 2) sont reliées l'une à l'autre par une zone intermédiaire (I) de faible dopage. La zone intermédiaire (I) forme des première (3) et seconde (4) jonctions respectivement avec la première zone (1) et avec la seconde zone (2). Le dispositif comporte au moins une première grille (5) pour générer un champ électrique dans la zone intermédiaire (I), du côté de la première jonction (3). De plus, le dispositif comporte au moins une seconde grille (6) pour générer un champ électrique dans la zone intermédiaire (I), du côté de la seconde jonction (4).
申请公布号 FR2894386(A1) 申请公布日期 2007.06.08
申请号 FR20050012358 申请日期 2005.12.06
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL 发明人 LE ROYER CYRILLE;FAYNOT OLIVIER;CLAVELIER LAURENT
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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