发明名称 低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种改进的低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法,属于特种、功能陶瓷技术领域,由下列重量配比的原料制成:石英∶磷酸铝∶氮化硅=(40~55)∶(40~50)∶(5~10);外加无机液体发泡剂1~10%,利用发泡剂对配料粉料进行造粒后再压制成型,粒度控制为60~90微米。本发明低介电、透波多孔陶瓷材料不仅具有良好的力学性能,强度高,而且具有优异的介电性能,介电常数低,ε<2,透波率高,达90%以上,能够满足应用要求。本发明制备方法科学合理,简单易行,便于实施。
申请公布号 CN1319906C 申请公布日期 2007.06.06
申请号 CN200510104409.9 申请日期 2005.10.27
申请人 中材高新材料股份有限公司 发明人 张伟儒;李伶;陈达谦;雷加喜;山玉波;田柯
分类号 C04B35/14(2006.01);C04B35/447(2006.01);C04B38/02(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01) 主分类号 C04B35/14(2006.01)
代理机构 淄博科信专利商标代理有限公司 代理人 马俊荣
主权项 权利要求书1、一种低介电、透波多孔陶瓷材料,其特征在于由下列重量配比的原料制成:石英∶磷酸铝∶氮化硅=(40~55)∶(40~50)∶(5~10);外加无机液体发泡剂1~10%;石英为无定形态,粒径为2~20μm,二氧化硅重量含量不低于99.98%;氮化硅粒径为0.45~5微米,α相氮化硅重量含量不低于93%;无机液体发泡剂为磷酸硅水溶液,磷硅摩尔比为1∶1,浓度为40~60%重量含量。
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