一种多坩埚下降法单晶生长炉

摘要

本发明公开了一种多坩埚下降法单晶生长炉，包括炉体和升降平台，炉体内设置有炉膛，升降平台上沿炉膛设置有1～15支坩埚套，坩埚套内设置有1～2个坩埚，炉膛包括高温区、生长区和低温区，特点是低温区的炉膛宽度是高温区的炉膛宽度的2倍，低温区炉口处设置有炉口宽度调节装置，优点在于通过调节炉口宽度调节装置可以改变高温区和低温区炉口宽度的比例，从而调节生长区内的温度梯度，可满足不同晶体生长对温度场的要求，是可同时生长1～30支不同的单晶的下降法晶体生长炉。

主权项

1、一种多坩埚下降法单晶生长炉，包括炉体和升降平台，所述的炉体内设置有炉膛，所述的升降平台上沿所述的炉膛设置有1～15支坩埚套，所述的坩埚套内设置有1～2个坩埚，所述的炉膛包括高温区、生长区和低温区，其特征在于所述的低温区的炉膛宽度是所述的高温区的炉膛宽度的2倍，所述的低温区炉口处设置有炉口宽度调节装置。