回收外延供者晶圆之方法

摘要

本发明关于一种在一受者晶圆上形成包含由一半导体材料制成的一薄层之一结构之方法，其包含下列步骤：藉从在一支撑基层上利用外延生长所形成之一层，移除一厚度材料的方式，进行表面备制；将该外延层之部分转移至该受者晶圆，以在该受者晶圆上形成该薄层，同时，包括该支撑基层和该外延层之一余留非转移部分之一负式性结构也形成，其特征在于藉该表面备制步骤移除之该厚度被配适成，当该表面备制步骤被应用到该负性结构时，一新薄层得以，藉由其厚度被该表面备制步骤所减少之该余留部分来形成。