发明名称 相转换记忆元素之真空包覆电极
摘要 本发明系揭露一种记忆元件其具有一环绕第一电极元素之真空护罩,以提供较佳的隔热效果。此记忆元件包括一第一电极元素;一相转换记忆元素,其系接触至第一电极元素;一介电填充层,其系围绕相转换记忆元素以及第一电极元素,其中介电层与第一电极元素之间有一间隔,以在第一电极元素与介电填充层之间定义一腔室;且相转换记忆层系密封至介电填充层,以定义一环绕第一电极元素之隔热护罩。
申请公布号 TW200721409 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095134375 申请日期 2006.09.15
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜
分类号 H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L23/34(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号