发明名称 | 相转换记忆元素之真空包覆电极 | ||
摘要 | 本发明系揭露一种记忆元件其具有一环绕第一电极元素之真空护罩,以提供较佳的隔热效果。此记忆元件包括一第一电极元素;一相转换记忆元素,其系接触至第一电极元素;一介电填充层,其系围绕相转换记忆元素以及第一电极元素,其中介电层与第一电极元素之间有一间隔,以在第一电极元素与介电填充层之间定义一腔室;且相转换记忆层系密封至介电填充层,以定义一环绕第一电极元素之隔热护罩。 | ||
申请公布号 | TW200721409 | 申请公布日期 | 2007.06.01 |
申请号 | TW095134375 | 申请日期 | 2006.09.15 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L23/34(2006.01) | 主分类号 | H01L23/34(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |