| 主权项 |
1.一种白光发光装置,至少包括: 一发光元件,可发出具有一第一放射波长之光; 一第一萤光材料,覆设在该发光元件上,其中该第 一萤光材料经由该发光元件激发后发出具有一第 二放射波长之光,且该第一萤光材料系由矽酸盐化 合物所组成;以及 一第二萤光材料,覆设在该发光元件上,其中该第 二萤光材料经由该发光元件激发后发出具有一第 三放射波长之光,该第二萤光材料系由氮氧化合物 或氮化合物所组成,且该第一放射波长之光、该第 二放射波长之光、以及该第三放射波长之光混成 白光。 2.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该发光元件系由至少一半导体材料所组成。 3.如申请专利范围第2项所述之白光发光装置,其中 该半导体材料系一复合化合物。 4.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该第一放射波长之光系蓝光。 5.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该第一放射波长介于实质410nm至实质500nm之间。 6.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该第一萤光材料为一铕金属活化之矽酸盐化合物 。 7.如申请专利范围第6项所述之白光发光装置,其中 该第一萤光材料之化学式为(Sr2-x-y-z,Cax,Mgy).(1-a)SiO 4.aGa2O3:Euz,且0.1≦x≦0.6,0.1≦y≦0.6,0.01≦z≦0.15,0.02 ≦a≦0.10。 8.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该第二放射波长之光为黄绿光。 9.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其中 该第二放射波长介于实质500nm至实质550nm之间。 10.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料为一铕金属活化之氮氧化合物 。 11.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料包括钙元素(Ca)或钡元素(Ba)。 12.如申请专利范围第10项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料可受激发之光的波长介于实质 360nm至实质480nm之间。 13.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料为一铕金属活化之氮化合物。 14.如申请专利范围第13项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料至少包括二金属元素,且该些金 属元素系选自于由锶(Sr)、钙以及钡所组成之一族 群中之任二者。 15.如申请专利范围第13项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料可受激发之光的波长介于实质 300nm至实质500nm之间。 16.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其 中该第三放射波长介于实质530nm至实质650nm之间。 17.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其 中该第三放射波长之光为橘红光。 18.如申请专利范围第1项所述之白光发光装置,其 中该发光元件系一发光二极体。 19.一种白光发光装置,至少包括: 一发光元件,可发出一蓝光,其中该蓝光具有一第 一放射波长; 一第一萤光材料,覆设在该发光元件上,其中该第 一萤光材料经由该发光元件激发后发出一黄绿光, 且该黄绿光具有一第二放射波长,该第一萤光材料 系由矽酸盐化合物所组成;以及 一第二萤光材料,覆设在该发光元件上,其中该第 二萤光材料经由该发光元件激发后发出一橘红光, 且该橘红光具有一第三放射波长,该第二萤光材料 系由氮氧化合物或氮化合物所组成。 20.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该发光元件系由至少一半导体材料所组成。 21.如申请专利范围第20项所述之白光发光装置,其 中该半导体材料系一复合化合物。 22.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第一放射波长介于实质410nm至实质500nm之间。 23.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第一萤光材料为一铕金属活化之矽酸盐化合 物。 24.如申请专利范围第23项所述之白光发光装置,其 中该第一萤光材料之化学式为(Sr2-x-y-z,Cax,Mgy).(1-a) SiO4.aGa2O3:Euz,且0.1≦x≦0.6,0.1≦y≦0.6,0.01≦z≦0.15,0 .02≦a≦0.10。 25.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第二放射波长介于实质500nm至实质550nm之间。 26.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料为一铕金属活化之氮氧化合物 。 27.如申请专利范围第26项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料包括钙元素或钡元素。 28.如申请专利范围第26项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料可受激发之光的波长介于实质 360nm至实质480nm之间。 29.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料为一铕金属活化之氮化合物。 30.如申请专利范围第29项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料至少包括二金属元素,且该些金 属元素系选自于由锶、钙以及钡所组成之一族群 中之任二者。 31.如申请专利范围第29项所述之白光发光装置,其 中该第二萤光材料可受激发之光的波长介于实质 300nm至实质500nm之间。 32.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该第三放射波长介于实质530nm至实质650nm之间。 33.如申请专利范围第19项所述之白光发光装置,其 中该发光元件系一发光二极体。 图式简单说明: 第1图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之剖面示意图。 第2图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之黄绿光萤光粉之激发光谱图。 第3图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之黄绿光萤光粉封装于发光二极体装置 之光谱图。 第4图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之红光萤光粉之激发光谱图。 第5图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之红光萤光粉封装于发光二极体装置之 光谱图。 第6图系绘示依照本创作一较佳实施例的一种白光 发光装置之光谱图。 |
