| 主权项 |
1.一种用于形成矽膜之溶液组成物,其系含有下式( A)表示之甲矽烷基环戊矽烷: 及由下式(B)表示之环戊矽烷: 其中每100重量份之环戊矽烷,含有0.01至30重量份之 甲矽烷基环戊矽烷。 2.一种在基质表面上形成矽膜之方法,包含下列步 骤: (1)制备如申请专利范围第1项之用于形成矽膜之溶 液组成物; (2)在基质表面涂覆该溶液组成物以形成涂膜;及 (3)加热该涂膜以形成矽膜。 3.一种用于形成矽膜之溶液组成物,其含有如申请 专利范围第1项所定义之式(B)所示的环戊矽烷及下 式(C)所示的螺[4.4]壬矽烷, 其中环戊矽烷和螺[4.4]壬矽烷的重量比为9:1。 4.一种在基质表面上形成矽膜之方法,其包含下列 步骤: (1)制备如申请专利范围第3项之用于形成矽膜之溶 液组成物; (2)在基质表面涂覆该溶液组成物以形成涂膜;及 (3)加热该涂膜以形成矽膜。 图式简单说明: 第1图,显示甲矽烷基环戊矽烷之红外线吸收光谱 图; 第2图,显示甲矽烷基环戊矽烷之质谱图; 第3图,显示环戊矽烷之红外线吸收光谱图; 第4图,显示环戊矽烷之质谱图; 第5图,显示环戊矽烷与甲矽烷基环戊矽烷(重量比9 /1)之混合物的甲苯溶液气相层析(GLC)图; 第6图,显示环戊矽烷之甲苯溶液气相层析(GLC)图; 第7图,显示实例4所获得的矽膜之ESCA光谱图;及 第8图,显示实例6(1)所获得的混合物之高速液体层 析图。 |
