| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 一半导体基板; 一闸极绝缘膜,形成于该半导体基板上;以及 一闸电极,形成于该闸极绝缘膜上,且包含一矽层 作为底部层,该矽层系被掺杂了硼与磷; 在一沿该矽层厚度方向之硼浓度分布中,其最高硼 浓度値对最低硼浓度値之比不高于100。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该矽层 系为n型,且在该矽层中,每单位厚度的硼剂量与每 单位厚度的磷剂量之间的差异系不低于11020cm-3。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该半 导体装置包含CMOS FETs。 4.一种半导体装置之制造方法,依序包含如下步骤: 依序在一半导体基板上沉积一闸极绝缘膜及一矽 层; 将硼植入该矽层; 藉由对该矽层施以热处理,促使该植入的硼扩散; 将磷植入该矽层; 藉由对该矽层施以热处理,而至少使该植入的磷扩 散;以及 藉由使用一乾式蚀刻技术来使该矽层图案化。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中该硼之扩散步骤系在一不低于900℃的温度下 实施之。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中该磷之扩散步骤系在一不低于900℃的温度下 实施之。 7.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 更于该至少扩散磷之步骤以及该图案化之间,包含 如下步骤: 沉积一包含高熔点金属之金属层于该矽层上;以及 形成一包含氮化矽之薄膜图案于该金属层上, 其中,该图案化步骤系利用该薄膜图案作为遮罩, 并同时将该金属层图案化。 8.一种半导体装置之制造方法,依序包含如下步骤: 依序在一半导体基板上沉积一闸极绝缘薄膜及一 矽层; 将磷植入该矽层; 藉由对该矽层施以热处理,促使该植入的磷扩散; 将硼植入该矽层; 藉由对该矽层热处理,而至少使该植入的硼扩散; 以及 藉由使用一乾式蚀刻技术来使该矽层图案化。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法, 其中该至少扩散硼之步骤系在一不低于900℃的温 度下实施之。 10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法 ,其中该磷之扩散步骤系在一不低于900℃的温度下 实施之。 11.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法 ,更于该至少扩散硼之步骤以及该图案化之间,包 含如下步骤: 沉积一包含高熔点金属之金属层于该矽层上;以及 形成一包含氮化矽之薄膜图案于该金属层上, 其中,该图案化步骤系利用该薄膜图案作为遮罩, 并同时将该金属层图案化。 图式简单说明: 图1系为一典型半导体装置之剖面图。 图2A至2D系依序显示出如图1所示之半导体装置其 制程步骤之剖面图。 图3系显示一nMOSFET之临界电压改变量与其闸极电 流间之关系的图表。 图4系显示在nMOSFET中,包含边缘和中心成分之闸极 电流与其闸极电压的关系的图表。 图5系显示在如图1的半导体装置样品中,其闸电极 横剖面之电子显微照片。 图6系显示一沿n型多晶矽层厚度方向之硼浓度分 布的图表。 图7系显示一n型多晶矽层之蚀刻速率与其硼浓度 之关系的图表。 图8系示意显示一习用半导体装置在其闸电极底部 边缘之缺陷的剖面图。 图9系显示一n型多晶矽层中之硼浓度与磷的施加 剂量间之关系的图表。 |
