| 发明名称 | 氮化物半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体发光装置由硅衬底(1)、在其上配置的具有发光功能的主半导体区(3)及在主半导体区(3)上配置的p型半导体层(8)构成。主半导体区(3)由n型半导体层(6)、活性层(7)和p型半导体层(8)构成。透光性电极(10)由Ag合金构成。在透光性电极(10)的Ag合金中掺入了用以抑制氧化或硫化的添加元素。掺入了添加元素的Ag合金稳定性高且透光性及欧姆性优异。 | ||
| 申请公布号 | CN1973360A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200580021019.3 | 申请日期 | 2005.07.13 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 青柳秀和;松尾哲二;杢哲次;田岛未来雄 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体装置，其特征在于设有氮化物半导体区以及在该氮化物半导体区的主面形成的电极，所述电极由Ag与从Au、Cu、Pd、Nd、Si、Ir、Ni、W、Zn、Ga、Ti、Mg、Y、In及Sn中选择的至少1种添加元素的合金构成。 | ||
| 地址 | 日本琦玉县 | ||